亚洲国产精品一区二区动图,亚洲aⅴ无码国精品中文字慕,亚洲精品久久久久久中文字幕,春药玩弄少妇高潮吼叫,60岁欧美乱子伦xxxx,国产午夜精品理论片久久影院,亚洲精品伦理熟女国产一区二区,日本无卡码高清免费v

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管電容-MOS管的高頻小信號電容詳情
    • 發布時間:2019-08-06 13:52:12
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOS管的高頻小信號電容
    從MOS管的幾何構造及工作原理能夠發現,MOS管存在著多種電容,這會影響MOS管的高頻性能。
    依據MOS管的幾何構造構成的各類電容如圖1.5所示,詳細為:
    MOS管
    (1)柵與溝道之間的柵氧電容C2=WLCox,其MOS管中Cox為單位面積柵氧電容ε0x/tox。
    (2)溝道耗盡層電容C3=W):其中q為電子電荷,εsi硅的介電常數,Nsub為襯底濃度,φF為費米能級。
    (3)交疊電容(多晶柵掩蓋源/漏區所構成的電容),每單位寬度的交堯電容記為Col,由于是環狀的電場線,Col不能簡單計算得到,且它的值與襯底偏置有關。交疊電容主要有柵/源交疊電容Cl= WCol與柵/漏交疊電容C4= WCol。
    (4)源/漏區與襯底間的結電容:Cbd, Cbs,即為漏極、源極與襯底之間構成的PN結勢壘電容,這種電容普通由兩局部組成:一局部是垂直方向(即源/漏區的底部與襯底間)的底層電容,以單位面積PN結電容Cj權衡;另—局部是源/漏區的周圍與襯底間構成的橫向圓周電容,以單位長度結電容Cjs來衡最。單位面積PN結的勢壘電容Cj可表示為:
    Cj=Cjo/[1+VR/φB]m
    式(1.1)中Cjo為PN在零偏電壓時單位底面積結電容(與襯底濃度有關),VR是加于PN結的反偏電壓,φB是漏/源區與襯底問的PN結接觸勢壘差(普通取0.8V),而m是底面電容的梯度因子,普通取介于0.3~0.4間的值。
    因而,MOS管源/漏區與襯底間總的結電容可表示為:
    CBD.BS=WHCj+2(W+H)Cjs
    式(1.2)中H是指源、漏區的長度,W是MOS管的寬度。
    由式(1.2)可發現:不同MOS管的源/漏區的幾何外形,即不同的源/漏區面積和圓周尺寸值,存在著不同的結電容。在總的寬長比相同的狀況下,采用并聯合構,即MOS管的H不變,而每一個MOS管的寬為原來的幾分之一,則MOS管的源/漏區與襯底間總的結電容比原構造小。
    例1.2 分別求出以下三種條件下MOS管源/漏區與襯底間總的結電容(假定任何,個MOS管的源/漏區的長度都為H):
    ①(W/L)=100的一個MOS管;
    ②(W/L)1,2=50兩個MOS管并聯;
    ③(WIL)1~5=20的5個MOS管并聯。
    解:為了計算便當,假定一切MOS管的溝道長度L=0.5μm,H=lμm則有
    ①CBD,BS:WHCj+2(W+H)Cjs=200Cj+402Cjs
    所以總的源/漏區與襯底問的結電容為Cbd+Cbs=400Cj+804Cjs
    ②Cbdl, 2=Cbs1=Cbs2=100Cj+202Cjs
    所以總的源/漏區與襯底間的結電容為Cbd1十Cbs1+Cbd2=300Cj+606Cjs
    ③Cbd1,2=Cbd3,4=Cbd5=Cbs1=Cbs2,3=Cbs4, 5=40Cj+82Cjs
    所以總的源/漏區與襯底間的結電容為
    Cbdl,2+Cbd3, 4+Cbsl+Cbs2, 3+Cbs4,5+Cbd5=240Cj+492Cjs
    2.MOS管的極間電容及其隨柵/源電壓的變化關系
    由于在模仿集成電路中,MOS管普通以四端器件出現,因而在實踐電路設計中主要思索MOS管每兩個端口之間存在的電容,如圖1.6所示,源/漏兩極之間的電容很小可疏忽不計,這些電容的值就是由前面剖析的各種電容組合而成,由丁在不同的工作區時MOS管的反型層厚度、耗盡層厚度等不同,則相應的電容也不相同,所以關于MOS管的極問電容能夠分為三個工作辨別別停止討論。
    MOS管
    (1)截止區
    漏/源之間沒有構成溝道,此時固然不存在反型層,但可能產生了耗盡層,則有柵/源之間、柵/漏之間的電容為:CGD=CGS= WCol;
    柵極與襯底間的電容為:CGB=(WLCox)Cd/(WLCox+Cd),即柵氧電容與耗盡層電容Cd的串聯,其中乙為溝道的有效長度,且MOS管
    CSB與CDB的值分別是源極、漏極與襯底間電壓的函數,能夠由式(1.2)求解出。
    (2)飽和區
    在此工作區,MOS管的溝道在漏端曾經發作夾斷,所以柵/漏電容CGD大約為WCol;同時MOS管的有效溝道長度縮短,柵與溝道間的電位差從源區的VGS降落到夾斷點的VGS-Vth導致了在柵氧下的溝道內的垂直電場的不分歧,能夠證明此時MOS管的柵+源間電容除了過覆蓋電容之外的電容值可表示為(2/3)N1Cox。因而
    CGS=2WLCox/3+WCol    (1.3)
    (3)深線性區
    在此工作區,漏極D與源極s的電位簡直相同,柵電壓變化AV時,惹起等量的電荷從 源極流向漏極,所以柵氧電容(柵與溝道間的電容)WLCox、F均分為柵/源端之間與柵/漏端之間的電容,此時柵/源電容與柵/漏電容可表示為
    CGD=CGS=WLCox/2+WCol
    當工作在線性區與飽和區時,柵與襯底間的電容常被疏忽,這是由于反型層在柵與襯底間起著屏蔽作用,也就是說假如柵壓發作了改動,導電電荷的提供主要由源極提供而流向漏極,而不是由襯底提供導電荷。
    CGD與CGS在不同工作區域的值如圖1.7所示,留意在不同的區域之間的轉變不能簡單計算得到,只是依據趨向停止延伸而得。
    MOS管
    烜芯微專業制造二三極管,MOS管,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 在线麻豆精东9制片厂av影现网 亚洲人成国产精品无码果冻 免费看小12萝裸体视频国产 中文字幕在线观看亚洲视频 亚洲性夜色噜噜噜在线观看不卡 欧洲熟妇色xxxx欧美老妇软件 国产成人欧美视频在线观看 欧美成人乱码一二三四区 五月丁香六月狠狠爱综合 欧美极品色午夜在线视频 偷窥 亚洲 另类 图片 熟女 男女啪啪免费观看无遮挡 国产亚洲人成无码网在线观看 中文无码字幕一区到五区免费 久碰久摸久看视频在线观看 国产精品a免费一区久久电影 亚洲午夜成人精品无码色欲 精品人妻少妇人成在线 国产精品www夜色视频 欧美日韩中文国产一区 天天爱天天做天天做天天吃中文 午夜成人1000部免费视频 国产精品乱码久久久久久软件 日本爽快片100色毛片 在线观看免费无码专区 9420免费高清在线观看视频 亚洲精品自偷自拍无码忘忧 亚洲va欧美va国产综合 免费精品国产一区二区三区 亚洲精品成人网站在线播放 国产 日韩 另类 视频一区| 天天躁日日躁狠狠躁性色av| 色悠久久久久久久综合网| 欧美兽交xxxx×视频| 亚洲呦女专区| av免费无码天堂在线| 米奇影院888奇米色99在线| 俄罗斯少妇性xxxx另类| 亚洲中文字幕av不卡无码| 亚洲欧洲中文日韩av乱码| 久久丁香五月天综合网|