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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • mos管與三級管區(qū)別-MOS管場效應管與三級管應用區(qū)別比較
    • 發(fā)布時間:2019-09-19 14:46:57
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    mos管和三級管區(qū)別
    1、三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制。
    2、成本問題:三極管便宜,MOS管貴。
    3、功耗問題:三極管損耗大。
    4、驅(qū)動能力:MOS管常用來電源開關(guān),以及大電流地方開關(guān)電路。
    MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
    MOS管不僅可以做開關(guān)電路,也可以做模擬放大,因為柵極電壓在一定范圍內(nèi)的變化會引起源漏間導通電阻的變化。
    二者的主要區(qū)別就是:雙極型管是電流控制器件(通過基極較小的電流控制較大的集電極電流),MOS管是電壓控制器件(通過柵極電壓控制源漏間導通電阻)。
    一般來說低成本場合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管
    實際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當基極加不加電壓時,基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子(基區(qū)為空穴,發(fā)射區(qū)為電子)的擴散運動,在此pn結(jié)處會感應出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(即內(nèi)建電場),當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū),當基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時,基區(qū)的載流子(電子)才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū),此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J為0.7v)。但此時每個pn結(jié)的兩側(cè)都會有電荷存在,此時如果集電極-發(fā)射極加正電壓,在電場作用下,發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動(實際上都是電子的反方向運動),由于基區(qū)寬度很小,電子很容易越過基區(qū)到達集電區(qū),并與此處的PN的空穴復合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動,而空穴則為pn結(jié)處運動,此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結(jié)都會感應出電荷,當做開關(guān)管處于導通狀態(tài)時,三極管處于飽和狀態(tài),如果這時三極管截至,pn結(jié)感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài),這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢復時間,因此可以用作高速開關(guān)管。
    三級管和mos管應用區(qū)別
    (1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。
    (2)場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。
    (3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
    (4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。
    (5)場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點,因而也被廣泛應用于各種電子設(shè)備中。尤其用場效管做整個電子設(shè)備的輸入級,可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
    (6)場效應管分成結(jié)型和絕緣柵型兩大類,其控制原理都是一樣的
    其他比較:
    1、三極管是雙極型管子,即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。
    場效應管是單極型管子,即管子工作時要么只有空穴,要么只有自由電子參與導電,只有一種載流子
    2、三極管屬于電流控制器件,有輸入電流才會有輸出電流  
    場效應管屬于電壓控制器件,沒有輸入電流也會有輸出電流
    3、三極管輸入阻抗小,場效應管輸入阻抗大
    4、有些場效應管源極和漏極可以互換,三極管集電極和發(fā)射極不可以互換
    5、場效應管的頻率特性不如三極管
    6、場效應管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級
    7、如果希望信號源電流小應該選用場效應管,反之則選用三極管更為合適
    場效應管的優(yōu)勢
    (1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID;
    (2)場效應管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。
    (3)它是利用多數(shù)載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
    (4)它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù);
    (5)場效應管的抗輻射能力強;
    (6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
    mos管和三級管區(qū)別
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