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  • 電容測量注意事項介紹
    • 發布時間:2020-08-14 17:18:49
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    電容測量注意事項介紹
    電容等效模型以及阻抗計算公式
    電容測量
    電容測量有串聯模式(Cs-D, Cs-Rs)和并聯模式(Cp-D, Cp-Rp)
    當使用串聯模式測量
    Cs的計算是如下圖(即直接使用虛部,認為虛部的值就是電容值):
    電容測量
    這種情況下,Cs的值等于C,僅僅在Rp值非常大(1/Rp <<1)并且L的電抗可以忽略(ωL<<1/ωC)的情況下。通常,在高頻時候,L不可忽略,但是Rp則在很多情況下可以忽略。對于高值電容,c的電抗相對Rp來說非常小;而低值電容,其本身的Rp就很大。因此,大多數電容可以使用下面的等效圖來表示:
    電容測量
    Figure5-5(a)和Figure5-5(b)示出了陶瓷電容器的典型阻抗特性和Cs-D特性:
    電容測量
    我們可以從高頻區的諧振點,認知到L的存在。
    電容測量應當注意到,測量是和電容值相關的。
    高值電容的測量:
    它屬于低阻抗測量,因此必須把接觸電極、測量夾具、電纜中的接觸電阻和殘余阻抗減到最小。這里應當使用4端、5端或者4端對測量方法。為了避免電磁場耦合影響,應當按照下圖方式連接電纜:
    電容測量
    此外為了進行精準測量,必須進行開路,短路校準補償。特別是對于施加直流偏置電壓的電解電容器,應該在偏置設置為On,并且為0V的時候進行開路短路補償。
    低值電容測量:
    屬于高阻抗測量。接觸電極間的雜散電容比殘余阻抗有更大的影響。應該使用3端(屏蔽2T)、5端(屏蔽4T)或4端對(4TP)測量。正確的接地、開路/短路補償可以把雜散電容影響減小到最小。
    除了電容量以外,損耗因素D和等效串聯電阻ESR也是需要測量的電容參數。對于低D值,或者低ESR值的測量需要格外注意。即使使用4端測量,測試夾具和電纜間的接觸電阻、殘余阻抗也會影響測量結果。
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