電源插座
開關(guān)電源的損耗不僅有待機損耗、使用損耗等等，其中也包括開關(guān)電源MOS管損耗。而開關(guān)電源MOS管損耗具體有哪一些呢？小課堂這就和大家來細說。
損耗低的開關(guān)電源
開關(guān)損耗
開關(guān)損耗包括傳導損耗和截止損耗。
1、導通損耗是指功率晶體管從截止到接通的功率損耗。截止損耗是指功率晶體管從接通到斷開時產(chǎn)生的功率損耗。
2、開關(guān)損耗，包括導通損耗和匝間損耗，是硬開關(guān)和軟開關(guān)中經(jīng)常討論的問題。
所謂導通損耗（turn on loss）是指當非理想開關(guān)接通時，開關(guān)電壓不會立即降到零，而是有一個下降時間。同時，其電流不會立即上升到負載電流，但也有上升時間。在這段時間內(nèi)，開關(guān)管的電流和電壓有一個重疊區(qū)，會產(chǎn)生損耗，即導通損耗。通過這個類比，我們可以得到關(guān)斷損耗的原因，這里不再贅述。開關(guān)損耗的另一個含義是在開關(guān)電源中，當開關(guān)大功率MOS晶體管時，寄生電容需要充放電，這也會造成損耗。
MOS晶體管損耗的部分組成。
1、導通損耗PON
導通損耗是指MOSFET完全打開后，負載電流IDS（On）（T）對電阻RDS（On）的電壓降引起的損耗。
導通損耗計算：首先通過計算得到IDS（on）（T）的函數(shù)表達式，并計算其有效值IDS（on）RMS。然后按如下公式計算：PON=IDS（on）rms2×RDS（on）×K×don注：計算IDS（on）RMS的周期僅為on-time ton，而不是整個工作周期ts；RDS（on）隨IDS（on）（T）值和設備節(jié)點溫度而變化，此時的原則是根據(jù)規(guī)范找到接近預期工況的RDS（on）值（即乘以規(guī)范中提供的溫度系數(shù)K）。
2、截止損耗poff
截止損耗是指MOSFET完全切斷后，漏電流IDSS在漏源電壓VDS（off）應力作用下產(chǎn)生的損耗。
截止損耗計算：首先通過計算得到MOSFET的漏源電壓VDS（off），然后找到器件規(guī)范中提供的IDSS，然后按如下公式計算：poff=VDS（off）×IDSS×（1-don）注：IDSS會根據(jù)VDS（off）而變化，規(guī)范中提供的這個值是近似V（BR）DSS條件下的參數(shù)。如果計算出的漏源電壓VDS（off）很大，接近V（BR）DSS，則可以直接引用該值。如果很小，可以取零值，即忽略此項。
3、驅(qū)動損耗PGs
驅(qū)動損耗是指由柵極接收驅(qū)動功率而引起的損耗。
計算驅(qū)動損耗，在確定驅(qū)動電源電壓VGS后，可按以下公式計算：PGs=VGS×QG×FS注：QG為總驅(qū)動功率，可通過器件規(guī)格找到。
4、COS電容器放電損耗PDS
COS電容器的放電損耗是指在導通過程中，MOS輸出電容器漏源處存儲的電場的放電損耗。
coss電容器放電損耗的計算：首先必須計算或預測啟動前的VDS，然后按以下公式計算：Pds=1/2×VDS（off-end）2×coss×fs注：COS是MOSFET的輸出電容，一般可以等于CDs。這個值可以在設備規(guī)范中找到。
5、體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗
體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗是指MOS中寄生二極管正向壓降在攜帶電流時所造成的損耗。
在體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計算中，有必要對二極管的寄生損耗進行計算。公式如下：Pd_f=IF×VDF×tx×fs，式中：IF為二極管載流，VDF為二極管正向?qū)▔航担瑃x為二極管在一個周期內(nèi)的載流時間。注：器件的結(jié)溫和載流不同。根據(jù)實際應用環(huán)境，可以在規(guī)范中找到盡可能接近的值。
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