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  • MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)與時間功耗計算
    • 發(fā)布時間:2021-05-07 14:39:46
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    MOS管驅(qū)動基礎(chǔ)與時間功耗計算
    我們先來看看MOS關(guān)模型:
    MOS管驅(qū)動
    Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
    耗盡區(qū)電容(非線性)。等效的Cgd電容是一個Vds電壓的函數(shù)。
    Cds:也是非線性的電容,它是體二極管的結(jié)電容,也是和電壓相關(guān)的。
    這些電容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss決定的。
    由于Cgd同時在輸入和輸出,因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多,這個稱為米勒效應。
    由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的,我們在實際應用的時候需要修改Cgd的值。
    MOS管驅(qū)動
    開啟和關(guān)斷的過程分析:
    MOS管驅(qū)動
    功耗的計算:
    MOSFET 驅(qū)動器的功耗包含三部分:
    1. 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。
    與MOSFET柵極電容充電和放電有關(guān)。這部分功耗通常是最高的,特別在很低的開關(guān)頻率時。
    2. 由于MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。
    高電平時和低電平時的靜態(tài)功耗。
    3. MOSFET 驅(qū)動器交越導通(穿通)電流產(chǎn)生的功耗。
    由于MOSFET 驅(qū)動器交越導通而產(chǎn)生的功耗,通常這也被稱為穿通。這是由于輸出驅(qū)動級的P溝道和N 溝道場效應管(FET)在其導通和截止狀態(tài)之間切換時同時導通而引起的。
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