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  • 晶體管與場效應管的認識及理解
    • 發布時間:2021-09-06 20:14:42
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    晶體管與場效應管的認識及理解
    為什么要把晶體管和場效應管一起講,因為他們容易混淆,一起說明更容易區別學習。
    首先 晶體管。
    我們也稱為三極管,分為PNP、和NPN型。在工藝上通常是一個半導體注入5價元素或3價元素來制作PNP或者NPN。
    晶體管 場效應管
    結構如上圖
    一般是使用硅管或者鍺管,而且固定壓降是0.7v和0.3v。也就是說當三極管正常工作時時Ube = 0.7v/0.3V
    各個級的英文單詞,方便記憶。e:elimt 發射,c:collect收集 b:base。
    三極管會有三個狀態:放大、截至、飽和。
    放大狀態:當發射結正偏、集電結反偏時,即UB<UC, UB>UE ,發射級的電子成功發射到集電極,這個時候,由ib控制ic,ic=βib(β為放大系數),所以三極管也叫電流控制電流的器件。這個時候,ic只受ib的控制(因為集電極電路影響很小,近似認為只受)
    截至狀態:Ib=0,ic=0,或者發射結反偏都時截至狀態,這個時候集電極和發射極都相當于開路。
    飽和狀態:發射極和集電極都正偏處于飽和狀態。這個時候ic不在受ib的控制,并且uce所占電壓很小,相當于導線,工程上我們認為硅飽和導通uce的壓降為0.3v,鍺管為0.1v。
    第二主角:場效應管
    我們也稱mos管,它是一種電壓控制電流的器件,有三個級,柵級g、漏極d、源極s。
    晶體管 場效應管
    分為三個形態,我們著重講增強型。
    增強型的場效應管,有四個區,分別為截至區,可變電阻區、恒流區、擊穿區和過損耗區。
    可變電阻區特點:當Uds較小時,Id隨Ugs增大而增大。
    恒流區:當Ugs一定時,Uds對id的影響很小。
    截止區:當電壓小于開啟電壓1.5v時,mos不工作。
    擊穿區:當uDS達到一定值時,場效應管被擊穿,ID突然增大。管子很容易燒壞。
    過損耗區:id和uds都比較高,長期處于這種狀態,沒有很好的散熱措施,很可能由于功率較大,管子燒壞。
    而耗盡型和增強型的區別就在于,當ug=0是,耗盡型ds相當于導通,而增強有開啟電壓。
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