右側(cè)的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步升壓（Boost）電路。
在該電路中，高邊（以下稱“HS”）SiC MOSFET與低邊（以下稱“LS”）SiC MOSFET的開關(guān)同步進(jìn)行開關(guān)。當(dāng)LS導(dǎo)通時(shí)，HS關(guān)斷，而當(dāng)LS關(guān)斷時(shí)，HS導(dǎo)通，這樣交替導(dǎo)通和關(guān)斷。
由于這種開關(guān)工作，受開關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
下面的波形圖表示該電路中LS導(dǎo)通時(shí)和關(guān)斷時(shí)的漏極－源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）的波形，以及柵極－源極電壓（VGS）的動(dòng)作。
橫軸表示時(shí)間，時(shí)間范圍Tk（k=1～8）的定義如下：
T1： LS導(dǎo)通、SiC MOSFET電流變化期間
T2： LS導(dǎo)通、SiC MOSFET電壓變化期間
T3： LS導(dǎo)通期間
T4： LS關(guān)斷、SiC MOSFET電壓變化期間
T5： LS關(guān)斷、SiC MOSFET電流變化期間
T4～T6： HS導(dǎo)通之前的死區(qū)時(shí)間
T7： HS導(dǎo)通期間（同步整流期間）
T8： HS關(guān)斷、LS導(dǎo)通之前的死區(qū)時(shí)間
在柵極－源極電壓VGS中，發(fā)生箭頭所指的事件（I）～（IV）。每條虛線是沒有浪涌的原始波形。
這些事件是由以下因素引起的：
事件（I）、（VI） → 漏極電流的變化（dID/dt）
事件（II）、（IV） →漏極－源極電壓的變化（dVDS/dt）
事件（III）、（V） →漏極－源極電壓的變化結(jié)束
在這里探討的“柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌”就是指在這些事件中尤其影響工作的LS導(dǎo)通時(shí)HS發(fā)生的事件（II）以及 LS關(guān)斷時(shí)HS發(fā)生的事件（IV）。
關(guān)鍵要點(diǎn)：
近年來(lái)，SiC MOSFET被越來(lái)越多地用于電源和電力線路中的開關(guān)應(yīng)用，SiC MOSFET工作速度非常快，快到已經(jīng)無(wú)法忽略由于SiC MOSFET其自身封裝電感和外圍電路布線電感帶來(lái)的影響。
因此，特別是SiC MOSFET，可能會(huì)在柵極-源極間電壓中產(chǎn)生意外的浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。
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