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  • 半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-07-29 19:00:10
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    半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
    中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    一、 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。
    2-二極管、3-三極管
    第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。
    表示二極管時(shí): A -N型鍺材料、 B -P型鍺材料、 C -N型硅材料、 D -P型硅材料。
    表示三極管時(shí): A -PNP型鍺材料、 B -NPN型鍺材料、 C -PNP型硅材料、 D -NPN型硅材料。
    第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。
    P-普通管、 V-微波管、 W-穩(wěn)壓管、 C-參量管、
    Z-整流管、 L-整流堆、 S-隧道管、 N-阻尼管、
    U-光電器件、 K-開(kāi)關(guān)管、 
    X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、
    G-高頻小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、
    D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
    A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、
    T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、 Y-體效應(yīng)器件、 B-雪崩管、
    J-階躍恢復(fù)管、 CS-場(chǎng)效應(yīng)管、 BT-半導(dǎo)體特殊器件、 FH-復(fù)合管、
    PIN-PIN型管、 JG-激光器件。
    第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
    第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)
    例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
    半導(dǎo)體器件型號(hào)命名
    日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:
    第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。
    0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3- 具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類(lèi)推。
    第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。
    S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
    第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。
    A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、 G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管、K-N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管、M-雙向可控硅。
    第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。
    兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);不同公司 的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
    第五部分: 用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。
    A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
    半導(dǎo)體器件型號(hào)命名
    美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
    美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:
    第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。
    JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、(無(wú))-非軍用品。
    第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。
    1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
    第三部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。
    N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。
    第四部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。
    多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
    第五部分:用字母表示器件分檔。
    A、B、C、D、┄┄同一型號(hào)器件的不同檔別。
    如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管,JAN-軍 級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。
    國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
    德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家,大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:
    第一部分:用字母表示器件使用的材料。
    A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、
    B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、
    C-器件使用材料的Eg%26gt;1.3eV 如砷化鎵、
    D-器件使用材料的Eg%26lt;0.6eV 如銻化銦、
    E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料。
    第二部分:用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。
    A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、
    B-變?nèi)荻O管、
    C-低頻小功率三極管、
    D-低頻大功率三極管、
    E-隧道二極管、
    F-高頻小功率三極管、
    G-復(fù)合器件及其他器件、
    H-磁敏二極管、
    K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、
    L-高頻大功率三極管、
    M-封閉磁路中的霍爾元件、
    P-光敏 器件、
    Q-發(fā)光器件、
    R-小功率晶閘管、
    S-小功率開(kāi)關(guān)管、
    T-大功率晶閘管、
    U-大功率開(kāi)關(guān)管、
    X-倍增二極管、
    Y-整流二極管、
    Z-穩(wěn)壓二極管。
    第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。
    三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專(zhuān)用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
    第四部分:用字母對(duì)同一類(lèi)型號(hào)器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。 
    除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下:
    1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差 為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V,代表小數(shù)點(diǎn),字母V之后的 數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
    2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
    3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。 如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
    半導(dǎo)體器件型號(hào)命名
    歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
    歐洲有些國(guó)家,如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。
    第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件
    第二部分:A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
    第三部分:多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
    第四部分:A、B、C┄┄表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
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