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  • 結型場效應管(JFET)的基礎知識介紹
    • 發布時間:2022-11-26 16:31:40
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    結型場效應管(JFET)的基礎知識介紹
    結型場效應管 JFET
    在N區兩側擴散兩個P+區,形成兩個PN結。兩個P+區相連,引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
    導電原理:
    結型場效應管 JFET
    (1)VGS=0時,N型棒體導電溝道最寬(N型區)。有了VDS后,溝道中的電流最大。
    (2)VGS<0時,耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬),并向溝道中間延伸,溝道變窄。
    當VGS
    結型場效應管 JFET
    加上負VGS電壓和VDS電壓以后,VGD的負壓比VGS大,所以,二個反偏PN結的空間電荷區變得上寬下窄,使溝道形成楔形。
    結型場效應管 JFET
    JFET通過VGS改變半導體內耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD,稱為體內場效應器件;MOSFET主要通過改變襯底表層溝道的厚度來控制iD,稱為表面場效應器件。
    JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例):伏安特性曲線和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。
    結型場效應管 JFET
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