1  引言

作為逆變電路中的核心部件——大功率開(kāi)關(guān)器件，一般分為三大類(lèi)型，即雙極型、單極型和混合型。雙極型GTO、GTR、SITH等；單極型有功率MOSFET、SIT等；混合型有IGBT、MGT（MOS門(mén)極晶體管）等。這些大功率器件的運(yùn)行狀態(tài)及安全性直接決定了變頻器和逆變器性能的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開(kāi)關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。本文重點(diǎn)介紹GTR的基極驅(qū)動(dòng)電路。

大功率晶體管（GiantTransistor—GTR）也稱(chēng)巨型晶體管，是三層結(jié)構(gòu)的雙極全控型大功率高反壓晶體管，它具有自關(guān)斷能力，控制十分方便，并有飽和壓降低和比較寬的安全工作區(qū)等優(yōu)點(diǎn)，在許多電力變流裝置中得到了應(yīng)用。

在電力電子裝置中，GTR主要工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。GTR是一種電流控制型器件，即在其基極注入電流IB后，集電極便能得到放大了的電流IC，電流放大倍數(shù)由hFE來(lái)評(píng)價(jià)。對(duì)于工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的GTR，關(guān)鍵的技術(shù)參數(shù)是反向耐壓VCE和正向?qū)娏鱅C。由于GTR不是理想的開(kāi)關(guān)，當(dāng)飽和導(dǎo)通時(shí)，有管壓降VCES，關(guān)斷時(shí)有漏電流ICEO；加之開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中具有開(kāi)通時(shí)間ton。（含延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr），關(guān)斷時(shí)間toff（含存貯時(shí)間ts和下降時(shí)間tf），因此使用GTR時(shí)，對(duì)其集電極功耗PC與結(jié)溫Tjm也應(yīng)給予足夠的重視。

2  基極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)原則

GTR基極驅(qū)動(dòng)電路和性能直接影響著GTR的工作狀況，因此在設(shè)計(jì)基極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)應(yīng)考慮以下兩點(diǎn)：最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)方式和自動(dòng)快速保護(hù)。

所謂最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)，就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制GTR的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以便提高開(kāi)關(guān)速度，減小開(kāi)關(guān)損耗。理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形如圖1所示。由圖1可以看出，為加快開(kāi)通時(shí)間和降低開(kāi)通損耗，正向基極電流在開(kāi)通初期不但要求有陡峭的前沿，而且要求有一定時(shí)間的過(guò)驅(qū)動(dòng)電流IB1。導(dǎo)通階段的基極驅(qū)動(dòng)電流IB2應(yīng)使GTR恰好維持在準(zhǔn)飽和狀態(tài)，以便縮短存儲(chǔ)時(shí)間ts。一般情況下，過(guò)驅(qū)動(dòng)電流IB1的數(shù)值選為準(zhǔn)飽和基極驅(qū)動(dòng)電流值IB2的3倍左右，過(guò)驅(qū)動(dòng)電流波形前沿應(yīng)控制在0.5μs以?xún)?nèi)，其寬度控制在2μs左右。關(guān)斷GTR時(shí)，反向基極驅(qū)動(dòng)電流IB3應(yīng)大一些，以便加快基區(qū)中載流子的抽走速度，縮短關(guān)斷時(shí)間，減小關(guān)斷損耗，實(shí)際應(yīng)用中，常選IB3=IB1或更大一些。這種基極驅(qū)動(dòng)波形一般由加速電路和貝克箝位電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。

圖1  理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形　

另外，GTR的驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)有自保護(hù)功能，以便在故障狀態(tài)下能快速自動(dòng)切除基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以避免GTR的損壞。保護(hù)電路的類(lèi)型有多種，根據(jù)器件及電路的不同要求可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇。為了提高開(kāi)關(guān)速度，可采用抗飽和保護(hù)電路；要保證開(kāi)關(guān)電路自身功耗低，可采用退飽和保護(hù)電路；要防止基極欠驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致器件過(guò)載狀態(tài)，可采用電源電壓監(jiān)控保護(hù)。此外，還有脈沖寬度限制電路以及防止GTR損壞的過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱等保護(hù)電路。

基極驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)成形式很多，歸結(jié)起來(lái)有三個(gè)明顯的趨勢(shì)：

1）為了提高工作速度，都以抗飽和貝克箝位電路作為基本電路；

2）不斷完善和擴(kuò)大自動(dòng)保護(hù)功能；

3）在開(kāi)通和關(guān)斷速度方面不斷加以改進(jìn)和完善。

3  基極驅(qū)動(dòng)電路一例

3.1  電路組成與功能

下面介紹一種實(shí)用高效自保護(hù)基極驅(qū)動(dòng)電路，它不但能維持GTR工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài)，而且可以對(duì)GTR的過(guò)載提供快速可靠的保護(hù)，防止GTR進(jìn)入放大區(qū)。另外可以改善GTR的開(kāi)關(guān)特性，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，降低驅(qū)動(dòng)功率，提高驅(qū)動(dòng)效率，具體電路如圖2所示。它主要由信號(hào)隔離電路，退飽和檢測(cè)電路，控制信號(hào)綜合電路和具有反偏壓的自適應(yīng)輸出電路組成。信號(hào)隔離電路由光電耦合器BD構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)邏輯控制電路與驅(qū)動(dòng)電路之間的電氣隔離；退飽和檢測(cè)電路由二極管D6和電壓比較器A1組成。當(dāng)GTR的集-射極電壓VCE高于某一規(guī)定值時(shí)，電壓比較器A1輸出過(guò)載保護(hù)信號(hào)。控制信號(hào)的綜合電路由三極管V1構(gòu)成。其功能是將正常的開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與退飽和禁止信號(hào)疊加處理后送至輸出級(jí)。具有反偏壓的自適應(yīng)輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)由三級(jí)管V3、V4，二極管D7、D8、D9，電容器C2等元器件組成，它的功能是提高開(kāi)關(guān)速度和產(chǎn)生反偏壓驅(qū)動(dòng)波形。

圖2  基極驅(qū)動(dòng)電路

3.2  驅(qū)動(dòng)電路的工作原理

當(dāng)輸入信號(hào)Vin為高電平時(shí)，光耦截止，B點(diǎn)近似等于電源電壓，A點(diǎn)為R3與R4的分壓電平，則VB>VA，電壓比較器輸出端C為低電平，三極管V1截止，V2導(dǎo)通，V3、V4截止，從而GTR截止。

當(dāng)輸入信號(hào)Vin由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，光耦輸出由截止變?yōu)閷?dǎo)通。C1經(jīng)R8、D3進(jìn)行充電，利用電容二端的電壓不能突變的特點(diǎn)，V2的基極電位也變?yōu)榱悖琕2截止，V3、V4導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)加速網(wǎng)絡(luò)C2、R12使GTR迅速飽和導(dǎo)通；當(dāng)GTR導(dǎo)通后，它的VCE隨之下降，D6導(dǎo)通，使B點(diǎn)的電位箝位于VB=VCE<VA，電壓比較器A1輸出端C變?yōu)楦唠娖剑筕1導(dǎo)通，V2的基極電位維持在地電位上；維持V2截止，V3、V4導(dǎo)通。同時(shí)V1的導(dǎo)通給C1提供了放電回路，使電容C1的兩端電壓下降為零，為下次工作做準(zhǔn)備。

當(dāng)Vin由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，光耦輸出級(jí)由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗笵1導(dǎo)通，D2截止，重新使VB>VA，C點(diǎn)輸出低電平，V1截止，V2導(dǎo)通，由C2、V5、D10、D9等組成的反偏電路使GTR迅速關(guān)斷，D6同時(shí)截止。下一周期將重復(fù)上述工作過(guò)程。

帶有反偏驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下：當(dāng)V4導(dǎo)通時(shí)，GTR也導(dǎo)通。通過(guò)加速電容C2的比較大的充電電流向GTR基極提供過(guò)驅(qū)動(dòng)電流，最大電流僅受R11阻值限制。充電結(jié)束后，進(jìn)入導(dǎo)通階段，GTR的基極電流由R11、R12和D8共同決定，此時(shí)C2充有左正右負(fù)的電壓。當(dāng)V4關(guān)斷V5導(dǎo)通時(shí)，電容C2經(jīng)V5的C-E結(jié)→D10→D9→C2放電。GTR的反偏電壓等于D10的導(dǎo)通壓降，約為0.7V左右，使GTR迅速截止。

3.3  保護(hù)電路工作原理

在正常工作過(guò)程中，由于D6導(dǎo)通，使VB=VCE；若GTR發(fā)生過(guò)載或其它原因退出飽和狀態(tài)，使VCE上升到VB=VCE

3.4  驅(qū)動(dòng)電路的器件要求

首先對(duì)光電耦合器的要求是高速型光耦。這是因?yàn)閷?duì)于橋式逆變電路，同一橋臂的上下兩個(gè)互補(bǔ)的控制信號(hào)之間應(yīng)當(dāng)設(shè)置死區(qū)時(shí)間tΔ（15～20μs之間），因普通光耦開(kāi)關(guān)時(shí)間較長(zhǎng)，一般在（4～6μs）之間，而后級(jí)驅(qū)動(dòng)的延遲時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10μs左右，而且可能出現(xiàn)開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間不等的現(xiàn)象，使正常的死區(qū)時(shí)間得不到保證。為了能安全可靠地工作，必須選用高速型光耦，并把后級(jí)驅(qū)動(dòng)總延遲嚴(yán)格限制在5μs以?xún)?nèi)。例如圖2中選用高速型光耦6N137就能滿足系統(tǒng)的要求。

其次對(duì)光耦的要求是具有較強(qiáng)的抗干擾能力。這是因?yàn)樵贕TR的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中，P點(diǎn)的電位是發(fā)生跳變的（圖3）。如GTR1導(dǎo)通或D1續(xù)流時(shí)，P點(diǎn)與M點(diǎn)等電位；而GTR2導(dǎo)通或D2續(xù)流時(shí)，P點(diǎn)又與N點(diǎn)等電位。P點(diǎn)電位的跳變速度由二極管反向恢復(fù)時(shí)間決定。對(duì)于中小功率三相異步電機(jī)變頻器，P點(diǎn)的dv/dt將達(dá)到每秒數(shù)千伏。若光耦抗干擾能力不強(qiáng)。P點(diǎn)電位的跳變將會(huì)通過(guò)光耦內(nèi)部寄生電容耦合，在驅(qū)動(dòng)電路中形成干擾脈沖，致使GTR發(fā)生誤動(dòng)作而不能正常工作。

圖3  GTR主電路與驅(qū)動(dòng)電路的連接關(guān)系

4  結(jié)語(yǔ)

驅(qū)動(dòng)電路是GTR安全工作的基礎(chǔ)，精心設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，精心選擇驅(qū)動(dòng)電路元器件和參數(shù)，是保證整機(jī)可靠運(yùn)行的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。近年已廣泛采用這類(lèi)專(zhuān)用模塊驅(qū)動(dòng)電路，（如UAA4002），使GTR的工作更加安全可靠。實(shí)踐證明，本文設(shè)計(jì)的這套帶反偏壓自適應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性能可靠，能滿足采用GTR逆變器的一般驅(qū)動(dòng)要求。